6月23日消息，广东银雨芯片半导体有限公司LED芯片研发项目获得了重大突破，通过从外延、芯片到封装的一系列工艺制程的改进与优化，使大功率LED光效达到了100lm/W。
公司称该项芯片研发突破了三项技术难点问题，获得了9项芯片专利授权。目前，10*23mil蓝光芯片已成功销往韩国高端照明应用市场。
据介绍，该项目的突破的三项关键技术难点：
1、图形衬底研究和N-AlGaN/GaNSuperlattice超晶格电流扩散刻蚀阻挡层的实现；
2、蓝光芯片发光面光学微结构设计和激光剥离技术制备单电极芯片；
3、适用于照明要求的散热封装设计及封装中的高效光学设计。
创新突破点：
1、衬底图形化设计和N-AlGaN/GaN超晶格电流扩散刻蚀阻挡层设计提高功率LED的内量子效率；
2、利用外延片的倒装焊工艺与蓝光芯片发光面光学微结构设计相结合技术，来提升LED的发光效率；
3、利用发光芯片与厚金属(100um以上)贴合制程技术，搭配激光剥离技术制备单电极芯片，提高芯片良率和发光效率；
4、利用具有梯度折射率的封装材料由高向低涂覆在芯片上，来提高芯片封装的出光效率。
5、采用共晶焊技术降低封装热阻，提高功率LED可靠性。
6、与周边大学共同培养LED专业人才以满足半导体照明行业的快速发展。
技术方向：
1、量产高压芯片光效可达120lm/w，
2、大功率芯片光效110lm/w，
3、大电流驱动，降低应用芯片数量，降低成本。
