在日本电化学协会电子材料委员会主办的“半导体及集成电路技术第75届研讨会”（2011年7月7日与8日在东京早稻田大学举行）上，三菱电机尖端技术综合研究所的古川彰彦登台演讲，介绍了该公司此前公开的SiC功率元件的研发成果。在演讲最后，还回答了与会者的提问。
会场上的提问主要集中在两个问题上：一个是SiC功率元件的制造工序中注入离子时的基板温度。某装置厂商的技术人员在提问时表示，要求离子注入时基板温度为500℃左右的呼声很高。古川就此表示，即便在更低的基板温度下注入离子问题也不大。实际上，三菱电机就是在200~250℃左右的基板温度下注入离子的。
另一个问题与SiC MOSFET有关。提问者首先提出了MOSFET的电子迁移率问题。这是因为SiCMOSFET的通道迁移率较低。从物性上来说，4H型SiC单晶体中的 电子迁移率应为1000cm2/Vs左右，但实际上MOSFET的通道迁移率还不到100cm2/Vs.古川表示，虽然“我个人希望达到100cm2 /Vs的目标”,但“想尽了各种办法，迁移率却仍停留在20~40cm2/Vs.不过，我认为（这一迁移率）也能满足耐压1200V级功率元件的要求” （古川）。
此外，还有就MOSFET普及相关课题的提问。古川对此的回答是价格。他说，从专门经营电子部件的商社购买时，电流容量为30A的SiCMOSFET的价格高达8000日元左右。
